氘代硅烷在Gigabyte DRAM 生产中用作不含氢的硅源，其中通常包含在晶格中的氢对栅极的高速运行有害。晶格内较重的氘为热电子效应引起的损伤提供了质量屏障，从而延长了器件的寿命。氘硅烷还用于各种研究应用，以测定氢的热力学掺入率。